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       晶閘管投切電容器（TSC）是利用晶閘管作為無觸點開關的無功補償裝置，它根據(jù)晶閘管具有準確的過程，迅速并平穩(wěn)的切割電容器，與機械投切電容器相比，晶閘管具有操作壽命長，開、關無觸點，抗機械應力能力強和動態(tài)開關特性優(yōu)越等優(yōu)點。晶閘管的投切時刻可以準確控制，能迅速的將電容器接入電網(wǎng)，有力的減少了投切時的沖擊電流的優(yōu)點。

       晶閘管投切電容器（TSC）按電壓等級劃分為：低壓補償方式和高壓補償方式。低壓補償方式適用于1 kV及以下電壓的補償，高壓補償方式（即補償系統(tǒng)直接接入電網(wǎng)進行高壓補償）則對6～35 kV電壓進行補償。

       晶閘管投切電容器（TSC）按應用范圍劃分為：負荷補償方式和集中補償方式。負補償方式是直接對某一負荷進行針對性動態(tài)補償以消除對電網(wǎng)的無功沖擊，集中補償方式是對電網(wǎng)供電采取系統(tǒng)的補償，以解決整個電網(wǎng)無功功率波動的問題。

       目前，晶閘管投切電容器（TSC）只有兩個工作狀態(tài)：投入和切除狀態(tài)。在投入狀態(tài)下，雙向晶閘管導通，電容器并入線路中，TSC向系統(tǒng)發(fā)出容性無功功率；切除狀態(tài)下，雙向晶閘管（或反向并聯(lián)晶閘管）阻斷，TSC的支路并不起到任何作用，不輸出無功功率。TSC主電路設計除了滿足分級快速補償要求外，還應考慮限制并聯(lián)電容器組的合閘涌流和抑制高次諧波等問題。TSC的關鍵技術是如何保證電流無沖擊，常見的接線方式有兩種：晶閘管與二極管反并聯(lián)接線方式和晶閘管反并聯(lián)接線方式。

       在晶閘管投切電容器（TSC）系統(tǒng)中，晶閘管反并聯(lián)方式是促使兩個晶閘管輪流觸發(fā)，接通和斷開補償回路。晶閘管反并聯(lián)方式的可靠性非常高，即使是某項損壞了一個晶閘管，也不會導致電容器投入失效或錯誤。晶閘管和二極管反并聯(lián)方式與晶閘管反并聯(lián)方式相比之下，速率較差，但經(jīng)濟且操作簡便。晶閘管閥能承受的反相電壓對于晶閘管反并聯(lián)方式是將電容器上的殘壓放掉時的電源電壓的峰值，晶閘管和二極管反并聯(lián)方式是電源電壓峰值的2倍。

       晶閘管投切電容器（TSC）系統(tǒng)中，為了限制因晶閘管誤觸發(fā)或事故情況下引起的合閘涌流，主電路中須安裝串聯(lián)電抗器，以抑制高次諧波和限制短路電流。而串聯(lián)電抗器后，電容器端的電壓會升高，所以額定電壓應選擇電容器高于電網(wǎng)的。電抗器的類型有空芯電抗器和鐵芯電抗器兩種，其中，而鐵芯電抗器限流效果較差，但造價低，空芯電抗器的限流效果很好，但造價也很高。所以選擇時，應通過經(jīng)濟、技術等方面比較來確定。

       晶閘管投切電容器（TSC）主回路接線方式根據(jù)晶閘管閥和電容器的連接可分為三相控制的三角形接法、星形接法和其他組合接法。其中三角形與星形的組合接法既綜合了前兩種接法的優(yōu)勢，也可提升補償裝置的運行質量，因此更為常用。

       根據(jù)電容器電壓不能突變的特性，晶閘管投切電容器（TSC）系統(tǒng)投切當電網(wǎng)電壓和電容器殘壓相差較大的時候，則很容易產生沖擊電流。當沖擊電流與正常穩(wěn)定電流之比小于1.7倍時，可以認為沖擊電流對晶閘管和電容器的使用無影響。投切停止后，電容器上有電網(wǎng)峰值電壓，晶閘管在電網(wǎng)電壓和電容器直流電壓的雙重作用下，存在過零電壓，過零點觸發(fā)晶閘管是理想狀態(tài)，不會產生沖擊電流。

       晶閘管投切電容器（TSC）的檢測系統(tǒng)用于檢測電網(wǎng)與負載系統(tǒng)的相關變量，包括相位采樣部分、電壓與電流有效值測算部分、待補無功量與無功功率計算部分等。目前比較先進的技術則是利用微機同步相位控制技術和自適應晶閘管觸發(fā)技術進行檢測。當檢測到電容器兩端電壓與電網(wǎng)電壓大小等同，極值一樣時，瞬時投入電容器，電流過零時晶閘管會自然斷開，無需對電容器預先充電，也無需加裝限流電抗器及專門的放電電阻，則可隨時實現(xiàn)無投切電容器。